LED 在現代生活中的廣泛應用，從智慧型手機到家庭照明無處不在。然而，目前 LED 面臨一個主要挑戰：增加功率以提升亮度時，效率會隨之降低。針對這一問題，日本名古屋大學的研究團隊提出了創新解決方案，旨在保持 LED 效率的同時提升其亮度。
InGaN LED 作為高效光源的代表，通常在低功率水平下工作。但為追求更亮的光，需增加功率，而這往往導致效率下降。傳統上，通過增大 LED 面積來緩解效率下降問題，但這又帶來了生產成本上升和環境影響加大的問題。
名古屋大學團隊獨闢蹊徑，通過傾斜 InGaN 層並改變晶圓切割方向，調整所得晶體的「極化」屬性，成功減少了效率下降。儘管低極化取向的研究已持續 15 年之久，但此前製造的 InGaN LED 效率一直遠低於標準高極化 LED。
該團隊發現，只有當低極化取向指向與標準LED相同時，才能發揮作用。於是，他們在低成本的藍寶石襯底上以（101̅3）取向生長 LED，這種取向具有低極化且方向與標準LED相似。實驗證明，（101̅3）LED 在更高功率下展現出更高的效率。
這一突破性發現為 LED 製造商開闢了新的創新路徑，有望推動更高效、更明亮的 Micro LED 顯示屏、更高的電流密度能力以及更快的開關速度的發展。
然而，團隊也指出了局限性：在藍寶石襯底上，只有兩個傾斜方向適合製造（101̅3）LED。儘管有其他方法可在藍寶石甚至矽上製造缺陷更少的（101̅3）LED，但其他方向的效果至今仍未達到理想。
