過去幾年裡，憑藉HBM3和HBM3E產品的優異表現，SK海力士在高利潤的HBM市場混得風生水起，甚至一度超越三星，成為了DRAM領域的頭號廠商。不過隨著HBM4時代的到來，三星逐漸解決了過去產品中存在的性能與生產問題，SK海力士在HBM市場的份額也出現了下滑，從64%降至50%，而三星已經提高至33%。
據TECHPOWERUP報道，近日一則來自SK海力士未來技術研究院工程師透露的消息，稱SK海力士在HBM的混合鍵合技術開發上遇到了困難，相關HBM樣品尚未啟動生產。要知道三星已經向客戶發送了採用混合鍵合技術的HBM樣品，如果情況屬實，對於SK海力士來說將是沉重的打擊，這意味著接下來可能會流失部分高端市場。
之前JEDEC固態儲存協會在制定HBM4標準時，其中一項討論便是高度，從過去最高720微米的限制，放寬至775微米，以適配12層及16層堆疊。考慮到HBM4E和HBM5等後續HBM疊代產品將引入20層堆疊，未來或許會進一步放寬高度限制，提高至825至900微米。
有關放寬HBM高度標準的討論背後的另一個因素是涉及鍵合技術，在製造HBM方面發揮著關鍵作用。隨著堆疊層數的增加，需要縮小晶片之間的間隙，業界普遍認為需要引入混合鍵合技術來做到這一點。對於HBM製造商來說，目前混合鍵合技術仍然具有挑戰性。
之前由於HBM4高度放寬，讓SK海力士有條件在現有鍵合技術中實現16層堆疊，無需轉向新的混合鍵合技術，從而降低了成本和製造難度。相比之下，三星是對混合鍵合技術最為積極的HBM廠商，計劃在部分16層堆疊的HBM4E產品中採用混合鍵合技術。
