今年3月，三星在其韓國華城園區引入了首台ASML製造的High-NA EUV光刻機，型號為「TWINSCAN EXE:5000」，成為繼英特爾和台積電（TSMC）之後，第三家購入High-NA EUV光刻機的半導體製造商。三星已決定在未來的DRAM生產中採用High-NA EUV技術，競爭對手SK海力士也有同樣的想法。
據The Bell報道，三星和SK海力士已經決定推遲在DRAM生產中引入High-NA EUV技術的時間。原因是工具設備的成本過高，另外DRAM架構即將發生變化，從而讓存儲器製造商在High-NA EUV技術上採取更為謹慎的態度。
根據三星和SK海力士的計劃，DRAM架構將分階段發展——從6F²到4F²，最終發展到3D DRAM。2030年之前量產的4F²DRAM將需要EUV技術處理，預計將採用High-NA EUV工具。不過與傳統DRAM不同，3D DRAM通過垂直堆疊增加電晶體密度，並不一定需要用到EUV技術，無論是普通的EUV還是High-NA EUV工具，從而消除了對EUV技術的需求。這意味著即便投資了High-NA EUV光刻機，但實際部署到DRAM生產的窗口期可能相對較短。
三星也會將High-NA EUV技術引入到邏輯晶片的生產中，正在評估1.4nm工藝中的使用，目標2027年量產。台積電也打算推遲使用High-NA EUV光刻機，A14工藝將繞過該技術，要等到2027年之後，計劃A14P工藝上引入。
