在今年4月份，英特爾和Arm宣布達成協議，讓晶片設計者能夠基於Intel 18A工藝打造低功耗的SoC。雙方的合作會首先聚焦於移動設備的SoC，隨後將擴展到自動駕駛、物聯網、數據中心等領域。
據Wccftech報道，Arm正在與英特爾合作，優化其移動處理器的IP設計，以更好地整合Intel 18A工藝。據稱，雙方試圖尋找一種「混合」的方法，其中不涉及巨大的風險因素，而且有可能進一步降低成本。此次合作對於Arm和英特爾來說都是一場革命，很可能也會改變行業的發展，傳聞雙方還計劃增加初期的出貨量。
隨著這段時間人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）的蓬勃發展，行業正處於一個上升周期，相關行業有著巨大的發展潛力，Arm希望能夠進一步擴大應用範圍，而不僅僅局限於移動領域。
英特爾曾表示，Intel 20A和Intel 18A工藝將憑藉RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代，這兩個工藝製程被視為2025年趕超台積電（TSMC）的關鍵。其中RibbonFET是對Gate All Around電晶體的實現，加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
