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傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場,將建造研發生產線

2026年09月20日 首頁 » 其他

一直以來,長鑫儲存(CXMT)傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線和長江儲存(YMTC)傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線分別主攻DRAM傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線和NAND快閃記憶體傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線,都取得了不錯的成績。不過在人工智慧(AI)熱潮推動下,儲存市場也在不斷發展,新型儲存產品可能是一種混合型設計,比如閃迪與SK海力士發布的下一代儲存技術高頻寬快閃記憶體(HBF,High Bandwidth Flash)。這意味著儲存產品類型變得更為複雜,不再是單一地以DRAM和NAND快閃記憶體構成,而三大原廠都是兩者兼備,能更好地應付市場和技術的變化。

傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線

據TrendForce報道,長鑫儲存正準備進入快速增長的NAND快閃記憶體市場,已經與潛在的客戶討論了其計劃。長鑫儲存打算在北京新建工廠建造NAND快閃記憶體研發生產線,並建立研發中心,暫時還不清楚具體時間表。

其實更早之前就有消息稱,長江儲存計劃大幅擴張產能,在即將完工的一座工廠基礎上再建兩座工廠。長江儲存也打算進軍DRAM領域,三座新工廠的部分產能將用於DRAM生產,具體分配情況取決於其開發方面的進度。目前長江儲存已經向客戶發送了LPDDR傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線樣品,預計今年年底前會收到使用反饋,這將是未來DRAM生產的重要決策參考。

目前長鑫儲存和長江儲存都在推進重大投資和融資計劃,都希望在這一輪儲存行情中尋找更多機會,擴大市場份額。隨著長鑫儲存上市成功,長江儲存也在加速推進科創板IPO傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線,擬募資330億元,將超過長鑫儲存的295億元和中芯國際(SMIC)傳長鑫儲存準備進入NAND快閃記憶體市場將建造研發生產線的200億元,創造科創板最高擬募資金額紀錄。

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