韓國媒體報道表示，三星半導體研究所完成突破性400層堆棧NAND Flash閃存開發。11月開始將技術轉移到平澤園區一號工廠產線。重要的里程碑使三星處於NAND Flash領先位置，超過開始量產321層堆棧NAND Flash的SK海力士。
BusinessKorea報道，三星計劃2025年2月美國2025年國際固態電路會議 (ISSCC) 發布，並詳細介紹1Tb容量400層堆棧TLC NAND Flash，2025下半年量產。但專家預測，如果加速進程，量產階段可能第二季末就開始。
除了400層NAND Flash，三星2025年增加先進內存產線，平澤園區安裝第九代（286層堆棧）NAND Flash產線，月產能30,000-40,000片晶片。中國西安廠也將128層堆棧（V6）轉為236層堆棧（V8）製程。
三星400層堆棧NAND Flash代表技術重大進步，2013年3D NAND Flash問世提升容量與讀取速率後，400層堆棧TLC NAND Flash顯示三星有顯著進步。目前全球NAND Flash市場占有率三星領先為36.9%，但SK海力士2023年量產238層堆棧NAND Flash，最近又宣布量產321層堆棧，給三星很大壓力。
NAND Flash市場近期受多因素影響，消費者需求、定價趨勢及人工智慧（AI）和數據中心等數據密集型應用興起，數據中心NAND Flash銷售量不斷增加，市場需求逐漸加溫。然11月128Gb MLC產品交易價格下降29.8%，均價為2.16美元。市調機構TrendForce分析，雖然2024年第四季NAND Flash價格下跌3%-8%，但企業級固態硬盤 (SSD) 仍上漲5%。
三星準備量產400層堆棧TLC NAND Flash同時，也專注優化晶片良率。NAND Flash研發階段良率為10%-20%，轉移至產線後，良率持續提升對更高產量和滿足市場需求為關鍵。
(首圖來源：三星)
