韓國內存大廠SK海力士8日宣布，新321層堆棧4D NAND Flash閃存樣品，成為業界第一家開發完成300層以上堆棧NAND Flash的公司。
SK海力士宣布，開始優化321層堆棧4D NAND Flash，2025上半年量產供貨。
SK海力士321層堆棧1Tb TLC 4D NAND Flash性能，較上一代238層512Gb 4D NAND Flash提高59%。因數據存儲單元可用更多單片數量堆棧更高，相同大面積晶片有更大存儲量，增加單位晶片晶片產量。
SK海力士還發布優化下一代NAND Flash解決方案，包括采PCIe 5 (Gen5) 接口的企業級固態硬盤 (Enterprise SSD，eSSD) 及UFS 4.0產品。
SK海力士積累產品技術和優化解決方案的基礎上，積極開發下一代PCI 6.0和UFS 5.0產品，以致力繼續領導內存市場。
(首圖來源：SK海力士)
