荷蘭媒體Bits & Chips報道，曝光機大廠ASML確認，新標準型0.33 NA EUV曝光機NXE:3800E導入部分High-NA EUV技術，工作效率提升。
ASML表示，新標準型EUV曝光機NXE:3800E已出貨，執行效率可達每小時195片晶片，較舊機型160片提高近22%。
下代High-NA高數值孔徑EUV採用更寬光錐，在EUV反射鏡撞擊角度更寬，晶片曝光時導致光損失，故ASML提高光學系統放大倍率，將光線入射角調回合適大小。
不過光罩尺寸不變，增加光學系統放大倍率，會因曝光場減少影響晶片量。ASML僅一個方向將放大倍數從四倍提升至八倍，使曝光場僅縮小一半。
為了降低曝光時間，提升工作效率，有必要提升曝光機載台運動速率。ASML工程師開發同時兼容0.33NA數值孔徑系統的新款快速載台運動系統，對NXE:3800E而言，光學組件相同之前的3600D機型，僅是配備了更高效的EUV光源，工作量提升來自每次曝光間晶片移動加速。與NXE:3600D相比，NXE:3800E載台移動速度提升兩倍，曝光步驟總時間也約減少一半。
運行速度更快，也使能效提升，ASML發言人表示，NXE:3800E整體節省約20%-25%能源。
(首圖來源：ASML)
