SK海力士準備首次將「2.5D扇出」（Fan out）封裝作為下一代內存技術。根據業內消息，SK海力士準備在HBM後下一代DRAM中集成2.5D扇出封裝技術。
韓媒BusinessKorea報道稱，這種技術將兩個DRAM晶片橫向排列，再像晶片一樣組合，因為晶片下面沒添加基板，能使晶片更薄，安裝在IT設備時的晶片厚度能大幅減少。SK海力士最快明年公開採用這種封裝方式的研究成果。
2.5D扇出封裝技術以前從未用於內存產業，過去主要是用於先進的系統半導體製造領域。台積電2016年首次將扇出晶片級封裝（FOWLP）商業化，將其16納米應用處理器與移動DRAM集成到iPhone 7的一個封裝中，從而使這項技術推向舞台。三星電子從今年第四季開始將這一技術導入Galaxy智慧型手機高級AP封裝中。
外界猜測，SK海力士之所以在內存使用扇出封裝，是為了降低封裝成本。2.5D扇出封裝技術可跳過矽通孔（TSV）製程，從而提供更多I/O數量並降低成本。業內人士推測，這種封裝技術將應用於Graphic DRAM（GDDR）和其他需要擴展資訊I/O產品。
除了利用這項技術外，SK海力士也努力鞏固與英偉達的合作，後者在HBM市場處於領先地位；SK海力士也成為蘋果Vision Pro中R1這種特殊DRAM晶片的獨家供應商。
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