市場謠傳，SK海力士（SK Hynix）將應重要客戶要求，於明（2025）年下半以3納米生產定製化的第六代高帶寬內存（HBM）「HBM4」，而非原定的5納米製程。
《韓國經濟新聞》3日引述半導體業界消息報道了上述消息。SK海力士已決定跟晶片代工龍頭台積電合作開發HBM4，而主要出貨的客戶是英偉達（Nvidia Corp.）。
消息人士透露，SK海力士最快明年3月就會發布一款采3納米基礎裸晶（base die）的垂直堆棧HBM4原型。英偉達繪圖處理器（GPU）目前是基於4納米HBM。基礎裸晶位於連接GPU的HBM底部，作用形同晶片頭腦。堆棧在3納米基礎裸晶的HBM，性能有望較5納米HBM4提升20-30%。
SK海力士運用3納米裸晶生產HBM4，有望進一步擴大跟對手三星電子（Samsung Electronics Co.）的差距。三星計劃運用旗下4納米製程生產HBM4。
爆料人士@Jukanlosreve 3日通過社交平台X指出，SK海力士之所以改以台積電3納米技術製造HBM4、是為了回應三星以4納米生產HBM4的聲明。結果，三星如今也考慮以3納米生產HBM4，甚至可能選用台積電的3納米技術。
SK Hynix has shifted its original plan to use TSMC's 5nm process for HBM4 and will now adopt TSMC's 3nm process instead.This move is a response to Samsung's announcement of using a 4nm process for HBM4.
As a result, Samsung is also considering producing HBM4 dies using a 3nm…
— Jukanlosreve (@Jukanlosreve)December 3, 2024
（首圖來源：Flickr/Ben MillerCC BY 2.0）
