晶片代工龍頭台積電錶示，2022全年研發費用達54.7億美元，擴大技術領先和差異化。5納米家族技術邁入量產第三年，貢獻營收26%。N4也於2022年開始量產，預定推出N4P和N4X製程。N4P製程技術研發進展順利，今年量產。另N4X是台積電第一個專注高性能計算 (HPC) 技術，今年客戶產品設計定案。
台積電今日舉行年度股東會，營業報告顯示N3技術2022年量產，有更佳性能、功耗和良率的N3E將擴展N3家族。N3E預定下半年量產，N3和N3E客戶參與度非常高，量產第一和第二年產品設計定案數量是N5兩倍以上，N3家族將成為台積電另一個大規模且有長期需求的製程。
台積電接下來2納米將採用納米片 (Nanosheet) 電晶體結構，提供全製程性能和功耗效率效益。相較N3E，N2相同功耗增速10%-15%，或相同速度功耗降低25%-30%，滿足日益增加的節能運算需求。N2提供客戶最佳性能、成本和技術成熟度，並擴展台積電技術領先地位。
台積電不斷突破電晶體微縮的極限，也不斷擴展3DFabricTM設計解決方案，以提升系統級性能至新境界。3DFabricTM結合晶片級3D和先進封裝技術，3D技術系統集成晶片 (TSMC-SoIC) 晶片堆棧於晶片之上 (Chip on Wafer，CoW) 2022年量產，通過將靜態隨機訪問內存 (Static Random Access Memory，SRAM) 堆棧於邏輯晶片上，展現顯著性能優化。
系統集成晶片 (TSMC-SoIC) 晶片堆棧於晶片之上 (Wafer on Wafer，WoW) 則通過深溝槽電容晶片上堆棧7納米邏輯晶片，為2022年的高性能計算 (HPC) 產品展現卓越系統性能強化。先進封裝方面，CoWoS-S集成多個系統單晶片 (SoC)、高帶寬內存 (HBM) 堆棧和三倍光罩尺寸矽基板，成功2022年量產，支持高性能計算 (HPC) 產品。集成型扇出 (InFO) 先進封裝技術方面，集成多個系統單晶片 (SoC) 和兩倍光罩尺寸扇出封裝的集成型扇出暨基板封裝技術 (InFO-oS)，也成功量產。
最後，台積電為了支持客戶釋放創新、產品迅速上市，提供完備基礎架構，為客戶優化設計效率和周期。台積電持續拓展開放創新平台 (Open Innovation Platform，OIP)，2022年提供超過5.5萬個資料庫與矽智慧財產權組合，並從0.5微米至3納米超過4.3萬個技術文件及超過2,900個製程設計組件。
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