今年1月，SK海力士研發的1αnm（第四代10nm級別）工藝DDR5伺服器DRAM獲得了英特爾認證，兼容全新第四代至強可擴展處理器（代號Sapphire Rapids）。其採用了EUV（極紫外）技術，與DDR4產品相比，功耗最多可減少約20%，性能至少提升70%以上。
據Chosun Media報道，SK的1βnm（第五代10nm級別）工藝DDR5伺服器DRAM啟動了英特爾的兼容性驗證程序，下個月將進入相關的流程，這意味著該款內存已進入量產前的最後準備階段，距離正式量產已經不遠了。傳聞新工藝在效能方面會有進一步的提升，同時成本方面也更具有競爭力。
相比於CPU和GPU，儘管DRAM使用的半導體工藝推進的速度要慢得多，但幾乎所有的DRAM製造商都在不斷地縮小製程節點。存儲器不太熱衷於採用新工藝，一定程度上是因為更先進的製程節點對DRAM的性能改善並沒有CPU和GPU那麼明顯。
SK海力士和三星是DRAM製造商里僅有的兩家採用EUV技術的廠商，在1βnm工藝上都引入了EUV技術，目前的DRAM大概能到12nm左右。去年三星就宣布，已開發出1βnm工藝的16Gb DDR5 DRAM，並與AMD完成了兼容性驗證。
