比利時微電子研究中心 （imec） 攜手日本化工及極紫外光 （EUV） 光罩護膜大廠三井化學共同宣布，為了推動針對極紫外光 （EUV） 微影應用的納米碳管 （CNT） 曝光薄膜技術商業化，雙方正式創建策略夥伴關係。
imec表示，此次合作，三井化學將把imec根據納米碳管所研發的創新光罩護膜技術，集成至三井化學的曝光薄膜技術，目標是實現能夠全面投產的規格，預計將在2025-2026年導入高功率的極紫外光 （EUV） 系統。此次簽約於2023 SEMICON Japan日本國際半導體展期間在東京進行。
imec強調，此策略夥伴關係旨在共同開發曝光薄膜及極紫外光 （EUV） 光罩護膜，由imec提供技術諮詢與極紫外光 （EUV） 曝光機測試，三井化學進行商用生產。這些光罩護膜被設計用來保護光罩在極紫外光 （EUV） 曝光時免受污染，不僅具備很高的極紫外光 （EUV） 穿透率 （≧94%） 和極低的極紫外光 （EUV） 反射率，對曝光的影響也能控制到最小，這些都是要讓先進半導體製造達到高良率和高產量所需的關鍵性能。這些納米碳管 （CNT） 光罩護膜甚至還能承受超過1kW等級的極紫外光 （EUV） 輸出功率，有助於發展新時代 （高於600W） 的極紫外光源技術。於量產導入極紫外光 （EUV） 微影技術的廠商對這些性能產生濃厚興趣。因此，此次合作的雙方將攜手開發可供商用的納米碳管 （CNT） 光罩護膜技術，以滿足市場需求。
imec先進圖形化製程與材料研究計劃的資深副總Steven Scheer表示，在協助半導體生態系發展新時代微影技術方面，imec擁有多年經驗。從2015年開始，我們與整個供應鏈的夥伴們創建了合作，為先進的極紫外光 （EUV） 微影技術開發納米碳管 （CNT） 光罩護膜的創新設計。我們有信心在測量、特徵化、納米碳管 （CNT） 薄膜特性和性能方面我們所掌握的深度知識將能加速三井化學的產品開發。通過合作，我們希望能為新時代極紫外光 （EUV） 微影技術推動納米碳管 （CNT） 光罩護膜的生產。」
imec進一步指出，在此微影技術發展藍圖下，新型光罩薄膜預計於2025-2026年推出，屆時艾司摩爾 （ASML） 開發的新一代0.33數值孔徑 （NA） 微影系統也將能支持輸出功率超過600W的曝光源。此開發進程攸關2納米以下邏輯晶片技術的導入。
(首圖來源：imec提供)
