此前有報道稱，三星選擇在其平澤P4工廠建設1cnm工藝的DRAM生產線，目前已經開始向Lam Research等合作夥伴訂購設備，為HBM4的量產鋪平道路。三星的1cnm屬於第六代10nm級別工藝，電路線寬約為11-12nm，預計今年進入商業化生產，三星打算用於生產HBM4的DRAM晶片。
三星目前已經完成了HBM4的邏輯晶片開發工作，並啟動了4nm試生產工作（用於HBM4的基礎裸片），明顯加快了HBM4的開發步伐，甚至比原計劃提前了大約半年，以便爭取英偉達這類關鍵客戶的訂單，預計將用於下一代Rubin架構GPU，預計2026年上市。除了英偉達外，三星還將目光投向了微軟和Meta的新一代定製晶片。
此前三星在ISSCC 2024上分享了一些技術細節，顯示HBM4將提供巨大的性能提升，數據傳輸速率高達2TB/s，比HBM3E快了約66%。同時還將支持6.4GT/s的接口運行速度，接口位寬為2048位，最大提供48GB容量也比當前一代產品提升了約33%。三星還與台積電達成協議，共同開發HBM4，這也是雙方首次在人工智慧（AI）晶片領域展開合作。
除了HBM4定製化工作外，三星還將重點轉向集成AI計算能力和特定數據處理功能，以滿足不斷變化的需求。
有傳聞稱三星可能選擇轉向PIM技術，使內存晶片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。這種做法可以將處理操作轉移到HBM本身，從而減輕了內存與一般處理器之間轉移數據的負擔。
