研究半導體公司的金融分析師Dan Nystedt，在社交媒體平台X分享業界傳出台積電2納米試產良率超過60%的消息，不久便引來剛從英特爾退休的前首席執行官Pat Gelsinger回復，稱「良率用 %比較並不恰當」，認為這說法是根本不了解半導體良率。
Dan Nystedt指出，媒體引述供應鏈人士的話，台積電2納米製程試產良率超過60%，也超越預期，明年量產。製程由台積電新竹寶山廠開發，準備就緒後將轉移至高雄廠。台積電2納米首次導入Nanosheet架構，比3納米FinFET架構更複雜。
發文後沒多久，Pat Gelsinger便在下方留言「良率用 %比較並不恰當」，因大晶粒（die）良率較低，較小晶粒良率百分比較高，「任何不定義晶粒尺寸說法，用百分比為半導體健康度量標準，都是不了解半導體良率的表現。」
speaking about yield as a % isn't appropriate. large die will have lower yield, smaller die – high yield percentage. Anyone using % yield as a metric for semiconductor health without defining die size, doesn't understand semiconductor yield. yields are represented as defect…— Pat Gelsinger (@PGelsinger)December 7, 2024
而Gelsinger反駁，有些網友贊同，但也有人問「所以英特爾的良率？」「這就是為何他們決定讓你退休的原因」、「如果台積電總是用最佳晶片尺寸，這不是很公平嗎？」也有人說「最佳晶片尺寸不存在，如果晶片尺寸接近0mm²，良率會接近100%。」
先前韓國媒體傳出，英特爾18A製程良率不到10%，這也讓Pat Gelsinger跳出來直指謠言有誤，並為TD和18A團隊取得的傑出成果與進展感到無比自豪。
（首圖來源：COMPUTEX）
