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三星和SK海力士搶購EUV光刻機,ASML預計未來兩年都將出現供應短缺

2026年11月10日 首頁 » 其他

隨著產能供應緊張和對先進DRAM需求的增長,三星和SK海力士正在加大採購EUV光刻設備三星和SK海力士搶購EUV光刻機ASML預計未來兩年都將出現供應短缺。不過ASML(阿斯麥)的訂單依然強勁,數月前EUV產能至2027年末都已經排滿了。ASML已經明確表示,即便不斷提升產能,可能未來一段時間內也不能完全滿足市場需求。

三星和SK海力士搶購EUV光刻機ASML預計未來兩年都將出現供應短缺

據TrendForce報道,三星和SK海力士已經開始爭奪ASML的EUV光刻機,相關投資額在10~20萬億韓元之間。考慮到設備交貨周期翻倍,三星和SK海力士有可能選擇提前下單,以確保供應。隨著預期訂單增加,將推動兩家公司的資本支出增長。

三星打算擴展先進DRAM的產能,正在平澤P4工廠增設1cnm(第六代10nm級別)DRAM生產線用於HBM4,同時還在推進P5綜合體建設,已訂購光刻設備,預計2027年上半年第一階段潔淨室三星和SK海力士搶購EUV光刻機ASML預計未來兩年都將出現供應短缺完工後搬入,首座晶圓廠計劃2028年投產。

SK海力士披露了一筆價值約11.95萬億韓元的EUV設備採購訂單,相當於其2024年末總資產的9.97%。該訂單包含安裝和改造費用,計劃於2027年12月31日前交付,以支持SK海力士向1cnm DRAM三星和SK海力士搶購EUV光刻機ASML預計未來兩年都將出現供應短缺工藝過渡。

與此同時,三星和SK海力士還瞄準了下一代High-NA EUV三星和SK海力士搶購EUV光刻機ASML預計未來兩年都將出現供應短缺技術,將用於未來的DRAM生產。三星和SK海力士計劃2027年開始量產1dnm(第七代10nm級別)DRAM工藝,2028年則嘗試開始啟用10nm以下工藝製造DRAM晶片,預計該階段將引入High-NA EUV光刻機。

上個月ASML警告稱,目前的EUV光刻機供應量都低於2027年和2028年的需求,而一些客戶已表達對2029年和2030年訂單的興趣。目前的客戶里,儲存晶片部分占淨銷售額的46%,而邏輯晶片部分則占54%。

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