英特爾2024技術篇章：矢志探索，砥礪前行

在2024年，英特爾持續推進技術創新，在多個技術領域見證了耕耘和收穫，從製程、封裝技術到互連微縮的未來探索，再到神經擬態計算、矽光集成等創新領域，足跡所至都是英特爾一年以來不斷探索的印記。

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在製程技術上：

-基於Intel 18A製程打造的首批產品——AI PC客戶端處理器Panther Lake和伺服器處理器Clearwater Forest，其樣片於8月出廠、上電運行並順利啟動作業系統，預計將於2025年開始量產。

-英特爾7月發布Intel 18A PDK（製程設計套件）的1.0版本，讓代工客戶能夠在基於Intel 18A的晶片設計中利用RibbonFET全環繞柵極電晶體架構和PowerVia背面供電技術。

在2月Intel Foundry Direct Connect大會上，英特爾首推面向AI時代的系統級代工（systems foundry），提供從工廠網路到軟體的全棧式優化，讓客戶能夠在整個系統層面進行創新;並拓展製程技術路線圖，新增Intel 14A節點和Intel 3、Intel 18A和Intel 14A節點的演化版本，包括性能提升（P）、功能拓展（E）和用於3D堆疊的矽通孔技術（T）;

在封裝技術上：

-在2月Intel Foundry Direct Connect大會上，FCBGA 2D 被納入英特爾代工先進系統封裝及測試（Intel Foundry ASAT）的技術組合之中。這一組合將包括FCBGA 2D、FCBGA 2D 、EMIB、Foveros和Foveros Direct技術。

-2024年1月，英特爾實現Foveros 3D先進封裝技術的大規模量產，該技術讓英特爾及其客戶能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊，並為多種晶片的組合提供了靈活的選擇，帶來更佳的功耗、性能和成本優化。

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在互連、微縮的未來技術探索上：

-英特爾在12月的IEDM 2024上展示多項互連微縮技術突破性進展：

•在新材料方面，減成法釕互連技術（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%，有助於改善晶片內互連;

•選擇性層轉移（selective layer transfer），一種用於先進封裝的異構集成解決方案，能夠將吞吐量提升高達100倍，實現超快速的晶片間封裝（chip-to-chip assembly）;

•柵極長度為6納米的矽基RibbonFET CMOS電晶體，在大幅縮短柵極長度和減少溝道厚度的同時，在對短溝道效應的抑制和性能上達到了業界領先水平;

•用於微縮的2D GAA電晶體的柵氧化層模塊，進一步加速GAA技術創新。

在神經擬態計算、矽光集成等創新領域方面：

-英特爾矽光集成解決方案團隊於今年6月展示了業界領先的、完全集成的OCI（光學計算互連）芯粒，該芯粒與英特爾CPU封裝在一起，運行真實數據，可在最長可達100米的光纖上，單向支持64個32Gbps通道, 有望滿足AI基礎設施日益增長的對更高帶寬、更低功耗和更長傳輸距離的需求。

-5月，英特爾的量子硬體研究人員開發了一種高通量的300毫米低溫檢測工藝，使用CMOS製造技術，在整個晶圓上收集有關自旋量子比特器件性能的大量數據。

-英特爾4月發布代號為Hala Point的大型神經擬態系統，基於英特爾Loihi 2神經擬態處理器打造而成，旨在支持類腦AI領域的前沿研究，解決AI目前在效率和可持續性等方面的挑戰。在上一代系統的基礎上，Hala Point將神經元容量提高了10倍以上，大致相當於貓頭鷹的大腦或捲尾猴的大腦皮層，並將性能提高了12倍。

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