ASML已經確認，即將出貨最新款的EUV曝光機EXE:5200，相比上一代來說，性能更加強大，當然不會賣給中國廠商。
根據ASML官方說法，EXE:5200是現有初代High NA EUV曝光機EXE:5000的改進款。它將擁有更高的晶片吞吐量，EXE:5000每小時可處理185片以上晶片，而EXE:5200的性能預計將更高。這意味著EXE:5200能更有效地支持2nm製程的量產。
早在之前，ASML就已宣布英特爾訂購了業界首個TWINSCAN EXE:5200曝光機。這款曝光機具有高數值孔徑，每小時可處理200多片晶片，是極紫外 (EUV) 大批量生產系統的一大進展。英特爾的這項舉動，也顯示出其在引入0.55 NA EUV技術上的決心。
TWINSCAN EXE:5000和EXE:5200均採用0.55數值孔徑。相較於前代EUV曝光機的0.33數值孔徑透鏡，0.55 NA EUV在精度上有所提高，能為更小的電晶體功能提供更高解析度的模式。這項技術的突破，將有助於晶片製造商在2nm製程上取得更大的進展。
EUV 0.55 NA的設計目標是從2025年開始實現多個未來節點。這將是業界首次部署該技術，隨後也將應用於類似密度的內存技術。隨著EXE:5200的推出，ASML將持續推動半導體技術的發展，為更高端的晶片製造提供更強大的支持。
