三星宣布，擴大與ASML（阿斯麥）的長期戰略合作關係，深化在High-NA EUV光刻和先進半導體製造技術方面的合作，推動AI時代的下一代創新。與此同時，台積電（TSMC）也宣布與ASML展開合作，推動行業轉移升級至向更大尺寸的High-NA EUV光罩/掩膜。
過去數十年裡，半導體行業一直依賴於6英寸光罩，延續至High-NA EUV的到來。未來High-NA EUV使用的光罩將轉移至12英寸，預計進一步提升晶圓廠的生產力，並降低晶片的製造成本，還能消除需要兩張6英寸光罩在High-NA EUV曝光時進行拼接的限制，整個半導體產業都將受益。這次升級能讓先進晶片製造商充分利用High-NA EUV光刻系統的優勢，最終提升晶片的成本效益。
憑藉儲存和代工製造領域的領先優勢，加上EUV光刻技術方面的豐富經驗，三星相信在這次12英寸光罩轉型中發揮關鍵作用。三星將與行業合作夥伴展開緊密合作，開發所需要的光罩技術及配套基礎設施。三星計劃2028年首次引入High-NA EUV光刻技術，用於DRAM晶片製造，預計能延長DRAM的擴展路線圖，提升解析度，簡化工藝並提高效率。
台積電打算2030年起，在邏輯晶片製造中引入High-NA EUV光刻技術。隨著製程技術不斷升級，預期使用High-NA EUV曝光的光罩層數也將隨之增加。台積電目標是2031年之前建立12英寸光罩試產線，2033年之前光刻系統全面就緒，以支持先進制程工藝量產。
