在宣布與英偉達建立「AI Megafactory」合作關係後不久，三星便將注意力放到了英偉達的HBM4資格認證上。上個月三星在完成內部可靠性測試後，向英偉達提供樣品進行最終驗證，用於性能測試，目標2026年初通過最終認證。
據TECHPOWERUP報道，三星已經完成了第六代HBM產品HBM4的開發工作，目前已進入最後預量產階段。有消息人士透露，三星設備解決方案部門（DS）已經通過了生產準備批准，這是全面量產前的最後一個內部關卡，意味著生產線已經準備就緒。
三星仍然在等待英偉達的資格認證，一旦雙方簽署協議，就可以直接進入批量生產環節。對於三星來說，HBM4是其在HBM領域趕超競爭對手SK海力士及重奪DRAM市場領導地位的關鍵，需要以最快的速度搶占先機。如果一切順利，三星將大幅拉近與競爭對手SK海力士在HBM3E時代的市場差距。
三星的HBM4結合了4nm基礎裸片（Base Die），並搭配1cnm DRAM晶片，數據傳輸速率突破了11Gbps，遠遠超過了JEDEC制定的8Gbps行業標準及客戶預期。相比於現有的HBM3E，HBM4預計將迎來60%的性能提升。
此外，HBM4時代還開啟了定製設計，意思是HBM基礎裸片可以根據特定客戶的要求來進行設計和製造。
