儘管三星電子和台積電正在努力提高3nm工藝製程的良率，但目前來看可能良品率的問題仍未徹底解決，而這不僅可能會造成性能問題的風險，讓消費者被迫承擔風險支付更高價格，或許也會影響到未來的訂單競爭。
雖然目前三星已經向中國交付了一批3nm GAA（環繞式柵極工藝）晶片，但新的報道顯示這些晶片的真實形式並不完整，缺乏邏輯晶片中的SRAM，雖然3nm GAA優於FinFET（鰭式場效應電晶體），但也更難生產，目前良率只有約50%。有業內人士透露，「要贏得高通等大客戶明年的3nm移動晶片訂單，良品率至少需要提高70%以上。」
生產3nm晶片的三星韓國華城工廠
事實上如果產量良率及產量不能提升，而高通又不得不被迫支付所有晶圓的費用，那麼高通驍龍晶片的價格必然存在水漲船高的風險，這就會導致其智慧型手機合作夥伴和消費者承擔後續的一系列結果，反過來促使高通轉而選擇台積電，這就形成了一個惡性循環。
台積電這邊的情況也不容樂觀，作為目前為數不多擁有3nm工藝製程晶片量產記錄的公司，台積電3nm工藝製程晶片同樣存在良率未能達標的問題，有業內人士表示，台積電3nm工藝製程晶片採用了與上一代相同的FinFET結構，這可能是其「未能控制」過熱問題的原因，台積電計劃在明年量產N3E、N3P、N3X、N3AE等提高良品率降低成本。
除此之外，還有半導體業內人士透露，三星、台積電和英特爾也都在積極準備發展2nm工藝，但與3nm相比，其性能和效率提升並不明顯，因此3nm工藝晶片的需求或許還將繼續持續，想要跳過3nm可能性不高。
