韓國內存大廠SK海力士宣布，成功開發全球首款第六代10納米級（1c）製程16Gb DDR5 DRAM，還展示10納米等級超微細化存儲技術。
SK海力士強調，10納米級DRAM時代傳承，微細難度也增加，但以獲業界最高性能認可的第五代（1b）為基礎，提高設計完成度，率先突破極限。今年會完成1c製程DDR5 DRAM量產準備，2025年開始供應產品，引領內存市場。
SK海力士以1b製程DRAM平台擴展開發1c製程。SK海力士技術團隊認為，不僅減少製程高度精細化可能的錯誤，還有將業界最高性能DRAM的1b製程優勢轉至1c製程。
SK海力士部分EUV製程開發新材料，優化EUV適用製程，確保成本競爭力。1c製程也革新設計，較前代1b生產率提高30%以上。
1c製程DDR5 DRAM主要用於高性能數據中心，執行速度為8Gbps，與前代比速度提高11%，能效也提高9%。AI時代，數據中心耗電量持續增加，如雲計算服務商客戶將SK海力士1c DRAM用於數據中心，電費最高能減少30%。
(首圖來源：SK海力士)
