ASML新任首席執行官Christophe Fouquet出席SPIE大會，並在會議上發布演講時，重點介紹了High NA EUV曝光機。然後，Christophe Fouquet也確認，英特爾的第二套High NA EUV曝光機已經組裝完成。
Christophe Fouquet表示，High NA EUV曝光機將不太可能像當前標準EUV曝光機那樣出現延遲交貨的情況，其原因是ASML找到了組裝掃描儀子組件的新方法，就是直接在客戶工廠安裝，無需經歷拆卸及再組裝的過程，這將大大節省ASML與客戶之間的時間和成本，有助於加快High NA EUV曝光機的出貨和交貨。
在Christophe Fouquet後緊接上台的是英特爾院士兼曝光技術總監Mark Phillips，他表示英特爾已經在波特蘭工廠完成了兩套的High NA EUV曝光系統的安裝。而且，Mark Phillips還公布了一些的數據，說明了相對於標準EUV曝光機所帶來的改進，通過High NA EUV曝光機應用出來的改善結果可能要比之前想像中還要多。
Mark Phillips強調，由於已經有了經驗，第二套High NA EUV曝光系統的安裝速度比第一個還要更快。據稱，High NA EUV曝光設備所需的所有基礎設施已經到位並開始運行。用於High NA EUV曝光的光罩檢測工作已經按計劃開始進行。因此，英特爾無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產。
另外，Mark Phillips還被問到了關於CAR（化學放大抗蝕劑） 與金屬氧化物抗蝕劑的問題。他的說法是CAR目前還夠用，但可能在未來某個時候需要金屬氧化物光阻劑。英特爾目標是要Intel 14A製程技術能在2026-2027年量產，屆時將製程技術進一步進行提升。
(首圖來源：英特爾)
