去年9月，美光宣布推出12層堆疊的HBM3E，擁有36GB容量，面向用於人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）工作負載。美光表示，相比於年初量產的8層堆疊的HBM3E，在給定的堆棧高度下，新產品無論堆疊層數還是容量都增加了50%，滿足了更大的AI模型運行的需求，避免了多處理器運行帶來的延遲問題。
據Business Korea報道，美光開始批量生產12層堆疊的HBM3E，首先會供應給英偉達。在最近的一次活動中，美光首席財務官Mark Murphy表示，與競爭對手8層堆疊的HBM3E相比，美光12層堆疊的HBM3E不但容量提高了50%，而且功耗還降低了20%，今年下半年大部分HBM生產都會由12層堆疊的產品組成。
美光提供的HBM3E產品擁有16個獨立的高頻數據通道，採用了1β（1-beta）工藝打造，封裝規格為11mm x 11mm，堆疊12層的24Gb裸片，提供了36GB容量，帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s。美光將矽通孔（TSV）增加了一倍，封裝互連縮小了25%，功耗比起競品降低了30%。美光憑藉先進CMOS技術創新，結合先進的封裝技術，提供了改善熱阻抗的結構解決方案，有助於改善立方體的整體散熱表現，加上大幅度降低的功耗，為客戶提供了功耗更低、散熱效率更高的HBM3E產品。
Mark Murphy預計美光下一代HBM4將在2026年量產，同時還在推進HBM4E的開發。
