內存大廠SK海力士宣布推出首款321層堆棧NAND Flash閃存產品，直接威脅競爭對手三星電子地位。三星不但高帶寬內存（HBM）和DRAM被超越，NAND Flash堆棧層數競爭也失去領先地位，劣勢蔓延至各內存產品。
SK海力士日前宣布量產堆棧層數321層1Tb TLC NAND Flash，業界最高堆棧層數產品為200層內，SK海力士成為第一家成功量產300層堆棧以上NAND Flash公司，更站上領先地位。
官方數據顯示，SK海力士321層堆棧TLC NAND Flash，數據傳輸速度比上代產品快12%，讀取性能提高13%，數據讀取功耗效率也提升10%以上。SK海力士以321層堆棧NAND Flash積極應對低功耗、高性能AI市場，並逐步擴大應用範圍。
BusinessKorea報道，SK海力士300層堆棧NAND Flash取得領先，引起三星更大危機感，首先開發垂直堆棧NAND Flash產品的正是三星。熟知三星的人士表示，上代產品三星最初開發階段取得領先，但SK海力士顯著進步，使三星拓展業務更困難。
與DRAM相比，NAND Flash一直處於AI熱潮之外，但最近發生變化，數據中心支持AI運算快速高性能固態硬盤（SSD）需求激增，尤其企業級SSD（eSSD）表現與HBM需求類似，SK海力士從AI帶動NAND Flash熱潮受益最多。統計第三季SK海力士eSSD銷量較前一年同期增加430%，占SSD總銷量60%。
SK海力士正加速擴大以eSSD為中心的NAND Flash競爭力，SK集團董事長Chey Tae-won出任SK海力士子公司Solidigm董事長。Solidigm是業界唯一有量產QLC NAND Flash技術的公司，eSSD供應處於領先。QLC容量高效，非常適合大容量AI數據中心eSSD，AI數據中心比PC和手機需要更高容量和更快存儲設備。與傳統HDD相比，eSSD有性能優勢，加上QLC產品有更高容量和成本競爭力，使產品受AI數據中心重視。
對三星來說，NAND Flash是必須保護的最後一道防線。三星一直是內存產業老大，但AI使格局變化，HBM和DRAM連續面臨SK海力士挑戰。市場人士表示，如果三星讓SK海力士NAND Flash追上，對三星是三重打擊。儘管三星銷售占比仍勢不可擋，但SK海力士不斷增長eSSD強勁表現，差距有望迅速縮小，對三星構成強大威脅。
(首圖來源：SK海力士)
