結合DRAM內存、NAND閃存優點的新一代內存——UltraRAM終於要來了，如今正邁向量產。
據報道，UltraRAM的開發公司Quinas Technology過去一年持續與先進晶圓產品製造商IQE合作，致力將UltraRAM內存的製程推進到工業化規模。
UltraRAM被視為結合DRAM與NAND優點的新型存儲器，具備DRAM的高速傳輸、耐用度比NAND高4,000倍、超低能耗，及資料保存能力長達千年等特點。
報道指出，該設計之所以大幅進展，主要是因為採用銻化鎵（gallium antimonide）與銻化鋁（Aluminium antimonide）的磊晶技術獲得突破，而且為全球首創，將幫助UltraRAM真正進入量產。
據悉，UltraRAM仰賴磊晶技術，後續才會經過曝光與蝕刻等半導體製程，來構建內存晶片結構。
ps.磊晶技術簡單說就是在襯底（比如矽片、藍寶石）這個 「原子模板」 上，讓原子順著模板的晶格紋路定向生長，最終形成一層沒有 「拼接縫」 的高質量單晶薄膜（磊晶層）的工藝.
IQE首席執行官Jutta Meier指出：「我們已經成功達成目標，為 UltraRAM開發出可擴展的磊晶製程，這是邁向封裝晶片工業化生產的重要里程碑。 這個項目代表了一個獨特機會，將下一代複合半導體材料在英國實現「。
Quinas首席執行官兼共同創辦人James Ashforth-Pook也表示，這次合作的成果是從大學研究邁向商業存儲器產品之旅的轉折點。
據悉，在接下來的商業化路徑中，Quinas與IQE計劃與各大晶圓廠與合作夥伴探討試產的可能性。
