三星與SK海力士宣布擴大半導體產能：計劃未來十年投資約1350萬億韓元

三星和SK海力士宣布，計劃未來十年內投資約1350萬億韓元，主要用於擴建半導體生產能力及數據中心。其中涵蓋了DRAM、NAND快閃記憶體和邏輯晶片部分，也有AI數據中心、電池和顯示器工廠，以及相關設備，包括晶片製造工具、蝕刻、光罩等諸多領域。

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這是一項由韓國政府主導的計劃，通過三星和SK海力士大規模擴建DRAM和NAND快閃記憶體製造工廠，目標五年內實現儲存晶片產能翻倍，從而引領全球儲存市場。預計十年計劃結束時，三星和SK海力士將在韓國新建四到五座半導體工廠，巨量投資湧入也將新增大量工作崗位。

TECHPOWERUP表示，SK海力士計劃到2027年再安裝20台EUV光刻機，同時從ASML處採購了2台High-NA EUV光刻機。三星已訂購7台EUV光刻機，計劃2027年末之前完成安裝，另外正在將High-NA EUV光刻機整合至未來生產線。

三星和SK海力士創紀錄的產能擴張計劃標誌著韓國半導體產業的轉折點，表明了韓國政府希望主導全球晶片和AI市場的決心。根據之前的計劃，這些晶圓廠要等到2040年或以後投產，現在新的時間點定在了2033年，展示了韓國半導體企業在應對AI計算需求上升時的積極態度。