近年來，ASML站到了世界半導體技術的中心位置，成為了先進半導體生產供應鏈的關鍵一環。目前ASML有序地執行其路線圖，在EUV之後是High-NA EUV技術，去年末已向英特爾交付了業界首台High-NA EUV光刻機。雖然業界才剛剛準備邁入High-NA EUV時代，但是ASML已經開始對下一代Hyper-NA EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案。
據EETimes報道，ASML公布了下一代Hyper-NA EUV技術路線圖，目前仍處於開發的早期階段。前ASML首席技術官Martin van den Brink在今年5月舉行的imec ITF World的演講中表示，從長遠來說需要改進照明系統，必須採用Hyper-NA，同時還需要將所有系統的生產效率提升至每小時400到500片晶圓。
ASML計劃在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻機，數值孔徑將達到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的數值孔徑為0.55，EUV則是0.33，隨著精度的進一步提高，可實現更高解析度的圖案化及更小的電晶體特徵。對ASML而言，未來Hyper-NA技術還將推動其整體EUV能力平台，以改善成本和交付周期。
Hyper-NA技術肯定會帶來一些新的挑戰，比如光刻膠，需要變得更薄。按照imec高級圖案化項目總監Kurt Ronse的說法，High-NA EUV應該可以覆蓋2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的製程節點。在那之後，Hyper-NA EUV將開始接管。
早在2022年接受媒體採訪時，Martin van den Brink就表示，ASML進行Hyper-NA研究計劃的主要目標是提出智能解決方案，使技術在成本和可製造性方面保持可控。不過Martin van den Brink擔心製造和使用成本可能都會高得驚人，如果製造成本增長速度與當前High-NA EUV一樣，那麼經濟層面幾乎是不可行的。
不過Martin van den Brink去年再次談到Hyper-NA技術，似乎收穫了更多的信心，認為Hyper-NA技術無疑是一個機會，將成為2030年之後的新願景。Hyper-NA EUV相比High-NA EUV上採用雙重曝光的成本更低，同時也為DRAM帶來了新機遇。
