台積電日前宣布，今年稍晚N3P量產，是目前最先進制程；到2025年更有趣，台積電將擁有兩種製程，都是下半年量產，甚至相互競爭。
台積電N3X和N2都將在2025年量產，與N3P相較，N3X節點晶片可將工作電壓 (Vdd) 從1.0V降低至0.9V，相同時脈降低功耗7%，或相同晶片面積提高運算性能5%，相同時脈電晶體密度提高約10%。與前代產品相較，N3X優勢在最大電壓1.2V，對桌面或數據中心GPU等超高性能應用非常重要。
N2節點是台積電第一個GAA納米片電晶體節點，顯著增強運算性能、功耗和晶片面積（PPA）等。與N3E相比，N2節點晶片可相同電晶體數和時脈，功耗降低25%-30%，或相同電晶體數和功耗，時脈提高10%-15%。時脈及功耗相同時，電晶體密度提高15%。
N2節點功耗和電晶體密度是台積電無可爭議的冠軍，但高電壓N3X性能方面可能挑戰N2。對許多客戶來說，N3X還受益成熟FinFET電晶體，N2節點2025下半年量產時，不會成為台積電最佳節點。
2026年台積電還有兩個普遍智慧型手機和高性能計算節點，就是N2P和有背後供電，也就是超級電軌A16節點。與第一代N2相較，N2P相同時脈和電晶體數，可降低5%-10%功耗，相同功率和電晶體數，提高5%-10%時脈。與N2P相比，相同時脈和電晶體數，A16功耗降低20%，相同功率和電晶體數，時脈提高10%。
台積電A16製程有稱為超級電軌的背面供電架構，可能成為注重性能晶片的首選。當然，背面供電需額外製程，A16節點成本會更高。
(首圖來源：台積電)
