中國的自研光刻機事業突然傳出重大進展！早些時候路透社從知情人士處獲悉，已有中方團隊成功做出了 EUV（極紫外光）光刻機原型機。目前該設備正在測試，政府目標是 2028 年用它量產可用的晶片。不過專家評估更務實的時間點會是 2030 年。但無論如何，這都比外界過去的預測要大幅提前。
傳說這台原型機是基於回收的光刻機舊零件，由曾供職荷蘭半導體設備大廠 ASML 的工程師透過逆向工程的方式打造。該計劃隸屬於中國半導體戰略，由中央科技委員會主任丁薛祥領導，華為扮演了關鍵的協調角色，串連起全國大量工程師、企業和科研機構。「其目標是讓中國能使用中國製造的設備生產先進晶片，從而把美國完全排除在供應鏈之外。」消息來源之一如此說道。
美國政府從 2019 年起對荷蘭施壓，力求全面切斷中國取得尖端半導體設備的管道。其目的是讓中國的晶片製造能力落後至少一個世代，若這次的傳聞屬實，那枷鎖或被逐漸打破，中國晶片的崛起將在全球科技產業引發大地震。
