雖然，極紫外光 （EUV） 微影曝光技術是未來幾年現代半導體製程技術不可或缺的關鍵。然而，每台EUV設備消耗1,400 KW的電力，相當於一個小城市的電力消耗，這使得EUV曝光系統成為一個巨大的電力消耗者，對環境產生影響。根據TechInsights的研究報告指出，到2030年，所有配備EUV微影設備的晶片廠，其總耗電量將超過每年54,000 GW，這比許多國家，包括新加坡或希臘每年消耗的電力還要多。
Tomshardware引用TechInsights的說法指出，目前標準數值孔徑 (NA) 的EUV曝光機需要高達1,170 KW的電力，而下一代High-NA曝光機預計每台需要1,400 KW的電力。而且，英特爾、美光、三星、SK海力士和台積電等半導體企業所運營的晶片廠中，安裝的這些機器數量每年都在增加。
TechInsights報告認為，到2030年，配備EUV曝光機的晶片廠數量將從目前的31座，增加到59座，運行的設備數量呈現翻倍狀態。因此，所有已安裝的EUV曝光機將消耗每年6,100 GW的電力，這代表到時會有數百台相同設備在運行其中。
每年6,100 GW的電力消耗是什麼概念？這就相當於盧森堡一個國家全年的電力消耗。而每顆先進晶片需要超過4,000個步驟來製造，一個晶片廠中有數百台設備的情況下，在EUV曝光機就已經約占晶片廠總用電量的11%。一旦加上其他設備、冷暖冷氣、設施系統和冷卻設備占等其他部分，用電量將非常可觀。因此，所有配備標準NA和High-NA EUV曝光機的晶片廠的總耗電量，預計將達到每年54,000 GW。
為了更好地理解這個數字，每年54,000 GW的電力大約是Meta的數據中心在2023年消耗電力的五倍。它還超過了新加坡、希臘或羅馬尼亞每年的消耗量，是拉斯維加斯一個城市每年消耗電量的19倍以上。然而，雖然這是一筆可觀的電力，但它仍僅占2021年全球電力消耗量25,343,000 GW的0.21%而已。
報道表示，如果59個配備EUV曝光機的先進半導體生產設施，每年消耗54,000 GW的電力，那麼每個設施每年將消耗915 GW的電力，相當於最先進的數據中心的電力銷後數量。而隨著配備EUV曝光機的晶片廠數量預計到2030年將幾乎翻倍情況下，電力消耗也將增加一倍以上，這使得電力基礎設施將面臨重大挑戰。即使在今天，像AWS、Google、Meta和微軟這樣的公司也在努力尋找電網必須能夠處理的地方，來建造其GW等級耗電量的數據中心。
(首圖來源：imec)
