三星2月發布首款36GB 12層HBM3E內存，根據業界消息，三星已於第二季開始量產這款HBM3E產品，正供應給特定客戶。
據韓媒BusinessKorea報道，12層HBM3E是利用矽穿孔（TSV）技術將DRAM內存晶片堆棧到12層，這也成為下半年AI半導體市場重要戰場。
根據最新業界消息，三星HBM3E有望於第三季獲得認證NVIDIA出貨，待相關程序完成後，將有望量產供貨。倘若未通過，這些預生產的產品可能成為庫存，而三星HBM驗證的消息有望在近期三星財報會議中獲得確認。
SK海力士也加入競爭行列，準備第三季量產12層HBM3E產品。據報道，SK海力士目前向NVIDIA供應之前的8層HBM3E，但尚未收到12層版本的驗證申請，不過SK海力士將量產時間表從明年提前至第三季，加速領先市場的腳步。
這次競賽中的黑馬美光，則計劃下半年完成12層HBM3E的量產準備，明年供應給NVIDIA等主要客戶。報道指出，目前尚未有內存公司決定向NVIDIA供應12層HBM3E，NVIDIA很可能考慮三家公司的出價，以滿足需求並獲取優惠的價格。
業界人士指出，即使12層HBM3E價格可能因競爭加劇而略下滑，但下半年顯然是決定HBM市場格局的時候，「關鍵在於各家公司能多大程度提高良率」。
誰先向NVIDIA提供12層HBM3E產品，將決定SK海力士能否維持HBM領先地位、三星電子能否扭轉趨勢，抑或是美光迎頭趕上，這些都將牽動每家公司的市場地位和財務健康狀況。
（首圖來源：SK海力士）
