知情人士透露，美國內存大廠美光將從日本政府獲得約2,000億日元獎勵資金，幫助日本製造下一代內存晶片。
彭博社報道，這筆資金將用於廣島廠安裝艾司摩爾（ASML）先進EUV晶片製造設備，生產DRAM晶片。
日本首相岸田文雄今（18日）邀請台積電等半導體廠高層會談，包括台積電董事長劉德音、美光首席執行官Sanjay Mehrotra，其他參與會談的還有三星、英特爾、應用材料、IBM和比利時微電子研究中心（IMEC）。屆時可能會宣布這筆資金計劃。
日本政府為了強化本土的半導體製造能力，已斥資數十億美元鼓勵台積電赴日設廠，並資助日本土製造商Rapidus，盼其2027年前製造2納米晶片。
彭博社指出，與美光交易一事將使EUV設備首度導入日本，這也是日本政府尋求邁向尖端製造業的一步。
美光廣島廠成美加強晶片供應鏈關鍵
與此同時，岸田文雄將於5月19日至21日在廣島接待G7領導人。研究公司Omdia分析師Akira Minamikawa認為，G7打算加強半導體晶片供應鏈，美光廣島廠將在此發揮關鍵作用，因為它是美國公司最重要的地點。
據報道，美光會投資廣島廠的擴建工程，目前還無法得知具體數字，廣島市也將支持該項目。
自2013年以來，美光已在日本投資130多億美元，包括去年量產最先進DRAM技術「1-Beta」DRAM晶片。據了解，最新資金將用於下一代的「1-gamma」製程技術，美光計劃2024年底推出，東京威力科創（TEL）、ASML有望受益。
今日早上東京威力科創（TEL）早盤漲達6.4%，而另兩間日本設備商Lasertec Corp. 和Hoya漲幅也超過3%。
（首圖來源：美光）
