近日，慧榮科技（Silicon Motion）在深圳舉行的「MTS2024存儲產業趨勢研討會」上，發表了主題為《塑造存儲未來：PCIe Gen5加速SSD發展》的演講，其中介紹了新款PCIe 5.0主控晶片SM2508。
慧榮科技的SM2508屬於其最新的旗艦級PCIe 5.0 SSD主控晶片，支持NVMe 2.0協議，內建8個最高支持3600 MT/s速率閃存通道，順序讀取和順序寫入速度最高分別為14.5 GB/s和14 GB/s，隨機讀取和隨機寫入最高均可達到2.5M IOPS，支持3D TLC/QLC NAND閃存，能充分發揮PCIe 5.0 SSD的高速性能。相比于慧榮科技幾個月前在2023閃存峰會上公布的參數規格，似乎又有所提升。
SM2508採用了大核 小核的處理架構，能實現更高的並行度、更低的功耗和更高的頻率，從而達到兼顧性能與功耗的均衡。其以4個Arm Cortex R8核心與1個Arm Cortex M0核心搭配，前者最高頻率可達1.25 GHz，並支持對稱性多重處理與亂序執行，相比採用非對稱性的Cortex R5核心高出了50%的計算能力。
此外，這次慧榮科技還公布了SM2508所採用的製造工藝，為台積電（TSMC）的6nm，相比12nm工藝能夠降低45%功耗。同時還結合了慧榮科技智能功耗管理，通過專屬模塊智能調整運行時的功耗，再結合整體低功耗設計的設計思路，讓PCIe 5.0 SSD的高速性能也能在筆記本電腦這類緊湊空間和嚴苛功耗需求的產品上得以發揮。按照之前的說法，SM2508主控晶片的功耗為3.5W，與大多數PCIe 4.0 SSD主控晶片相當，散熱方面應該會比較理想。
慧榮科技預計，PCIe 5.0 SSD將在2025年在PC OEM中得到大量應用。
