ASML透露，將在今年年底前交付業界首台高NA極紫外（ EUV ）曝光機，這對下一代EUV的開發是一個充滿希望的信號。這台機器是0.55孔徑 (NA) Twinscan EXE:5000測試機型 ，是為晶片製造商開發的，以便他們學習如何高效地使用高NA極紫外光曝光技術。
在這些研發工作之後，預計將於2025年開始批次生產使用高NA的晶片，屆時ASML將開始交付商業級Twinscan EXE:5200 。
ASML首席執行官Peter Wennink在接受路透社簡短採訪時說：「一些供應商在實際量產和向我們提供適當水準的技術品質方面遇到了一些困難，因此導致了一些延後。但事實上，首批產品仍將在今年出貨。」
目前，各種晶片廠中最先進的EUV曝光機是ASML的Twinscan NXE:3400C和NXE:3400D，配備0.33孔徑 (NA) 光學鏡片，解析度為13納米。這樣的解析度適合在金屬間距介於30納米和38納米之間的製造技術上列印晶片。
然而，當金屬間距降至30納米以下（節點超過5納米）時，13納米的解析度就不夠用了，晶片製造商將不得不使用EUV雙圖案化和/或圖案成型技術。考慮到EUV雙圖案化既昂貴又充滿風險，業界正在開發NA值為0.55的High-NA EUV掃描儀，以實現8納米解析度，用於十年後半期的製造技術。
ASML的高NA曝光機將再次改變半導體工廠的組態，因為它們不僅採用了新的光學技術，還需要新的更大的光源，這就需要新的工廠結構，從而導致大量投資。有各種報道指出，每台曝光機的投資將從0.33 NA EUV掃描儀的2億多美元增加到近4億美元。
Intel原本計劃在其18A（1.8納米）生產節點上使用ASML的High-NA工具，該節點定於2025年進行大批次生產，與ASML預計交付Twinscan EXE:5200的時間相吻合。然而，Intel後來將其18A生產的開始時間推遲到了2024年下半年，顯然是選擇使用ASML的Twinscan NXE:3600D/3800E的兩次曝光技術，以及應用材料公司的Endura Sculpta圖案成型系統，以減少EUV雙圖案化的使用。
Intel預計將成為ASML High-NA曝光機的首批客戶，因此當Intel在今年時候收到該設備時，其開發人員和工程師將能夠根據即將推出的生產工具調整Intel的技術。考慮到這些工具與Intel自己的製程節點計劃之間的時間差，他們將如何以及何時將這些工具創建到自己的技術中目前還是個未知數。由於18A預計將是一個長期節點，英特爾可能仍打算在其中使用High-NA EUV，即使這一方案一開始並不可行。
與此同時，三星和台積電計劃於2025年底開始在其2納米級節點（SF2、N2）上生產晶片。不過，High-NA機器在它們的計劃中究竟占多大比重仍然不為人所知。
