在CES 2022大展上，AMD推出了採用3D垂直緩存（3D V-Cache）技術的Zen 3架構Ryzen 7 5800X3D處理器，為每個CCD帶來額外的64MB 7nm SRAM緩存，使得處理器的L3緩存容量由32MB增加到96MB，進一步提升了性能表現。在隨後的幾年裡，AMD不斷擴大X3D產品線，出色的遊戲性能使其成為了DIY市場上炙手可熱的產品。
據Wccftech報道，AMD在一篇名為《平衡延遲堆疊緩存（Balanced Latency Stacked Cache）》的研究論文中，探索在未來晶片的L2緩存加入3D堆疊，延遲可能優於傳統設計。在美國商標和專利局（USPTO）公示中，對應的專利號為「US20260003794A1」。
在第一代3D V-Cache里，AMD將CCX翻轉（由面向頂部改為面向底部），然後削去了頂部95%的矽，再將3D垂直緩存晶片安裝在上面。到了第二代3D V-Cache，AMD對3D垂直緩存晶片進行了優化，同時CCX和3D垂直緩存晶片互換了位置。
AMD展示了一種多層堆疊結構，基礎晶片連接到計算模塊和緩存模塊，上方可以疊加多層緩存，示例中將四組512KB區域的緩存模塊組成2MB的L緩存，另外還有一個CCC（緩存控制電路）。L2緩存複合體可根據需要擴展，示例里還能進一步擴展至4MB。
堆疊方法採用了與3D V-Cache相同的原理，利用矽通孔（TSV）將L2/L3堆疊連接到基礎晶片和計算複合體，配置在堆疊緩存系統的中心垂直方向，緩存控制電路負責控制數據的輸入和輸出。
AMD使用了平面1 MB和2MB的L2緩存配置作為示例，指出前者的典型延遲為14個周期，後者的延遲為12個周期。新方法為訪問請求提供了更低的延遲，數據從數據緩存返回的速度也更快。由於周期更短，還能節省電力，產生的熱量也會更少。
