美光DDR5速度破9200MT/s!比目前量產DDR5快40%以上

美光宣布已向合作夥伴提供256GB DDR5 RDIMM樣品，傳輸速率最高9200 MT/s，比量產DDR5快40%以上。

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該模組基於美光首次採用EUV光刻的1-gamma工藝（第六代10nm級節點），晶圓密度提升超30%，晶片速度快15%、功耗降超20%。採用3D堆疊與矽通孔封裝，單條功耗僅11.1瓦，比雙128GB方案降低40%以上。

該內存面向LLM、代理式AI等數據中心負載，可在功耗限制內最大化單插槽內存容量。美光正與合作夥伴驗證兼容性，尚未公布量產時間表。同期JEDEC正推動DDR5 MRDIMM標準，目標速度12800 MT/s。現有256GB DDR5伺服器內存市場價約5-6萬元，美光尚未披露新品定價。