近年來，人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長。三星、SK海力士和美光三家主要存儲器製造商都加大了這方面的投入，以加快研發的進度。從去年下半年起，就不斷傳出有關下一代HBM4的消息。
JEDEC固態存儲協會已發出公告，宣布即將完成HBM4標準的制定工作。新設計被認為是HBM3標準的進化，旨在進一步提高數據處理速率，同時保持基本功能，比如更高的帶寬、更低的功耗、增加每個晶片以及堆棧的容量。
JEDEC表示，HBM4的進步對於需要高效處理大型數據集和複雜計算的應用程序來說至關重要，覆蓋範圍包括生成式AI、高性能計算、高端顯卡和伺服器。與HBM3相比，HBM4將使每個堆棧的通道數增加一倍，並且占用了更大的物理空間。早在去年就有報道稱，HBM4堆棧將採用2048位接口，而以往每個HBM堆棧採用的都是1024位接口，位寬翻倍是2015年HBM內存技術推出後的最大變化。
此外，為了確保支持設備的兼容性，在新標準里，單個控制器可以同時使用HBM3和HBM4，不同的配置需要不同的中介器來適配。HBM4將指定24Gb和32Gb層，並提供4-high、8-high、12-high和16-high的TSV堆棧，目前JEDEC已就最高6.4 Gbps的速率達成協議，並討論更高的頻率。
有消息稱，JEDEC為了降低三星、SK海力士和美光的製造難度，可能會放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，12層及16層堆疊的HBM4高度將放寬至775微米。這意味著利用現有的鍵合技術就能實現16層堆疊，而無需轉向新的混合鍵合技術。
