傳三星已訂購1c DRAM生產設備，為HBM4量產鋪平道路

儘管三星仍在為12層堆疊的HBM3E獲得英偉達認證而努力，但是並沒有放慢下一代HBM產品的開發步伐。早些時候有報道稱，三星將在年底前流片HBM4，屬於第六代HBM產品，此舉被認為是為2025年底大規模生產奠定基礎。

贊助商廣告

 

 

早在數月前，面對日益增長的市場需求和內存行業的持續復甦，三星選擇在其平澤P4工廠建設1cnm工藝的DRAM生產線，目標是在2025年6月開始量產。據TrendForce報道，已開始向Lam Research等合作夥伴訂購設備，以便在平澤P4工廠建造1cnm DRAM生產線，預計2025年第一季度開始進行安裝，為HBM4量產鋪平道路。

其實之前三星就已組裝了1cnm工藝的DRAM生產線，不過僅限於試產，而且還取得了不錯的進展。如果1cnm DRAM生產線運轉良好，且能獲得穩定的收益率，那麼三星還可能追加額外的投資，進一步擴大產能。1cnm屬於第六代10nm級別工藝，電路線寬約為11-12nm，領先於現有第五代10nm級別的1bnm，預計明年開始全面進入商業化生產。

三星的HBM4為12層垂直堆疊，打算選擇4nm工藝生產基礎裸片，並採用1cnm工藝製造DRAM晶片。三星目前採用10nm工藝生產HBM3E的基礎裸片，在新一代HBM4上換成4nm工藝可以增強其在HBM領域的競爭優勢。三星希望在HBM4量產上可以追上SK海力士，重新奪回HBM市場的領導地位。