根據韓國媒體ZDNET Korea的報道表示，韓國三星內部已於第三季決定調整平澤園區P4產線第一期 （Phase 1） 的產能分配，就是要從純NAND Flash閃存的生產，調整為NAND Flash DRAM的生產，以應對市場需求變化。
報道表示，這次的產能改變可由該產線的內部代號名稱更改中看出來，原本該產線定名為P4F，尾部的F即指Flash閃存。但如今現在的名稱是P4H，H是Hybrid混合的簡寫，顯示產線不只支持一個大項的半導體生產。
事實上，平澤園區P4產線第一期現已部分進駐NAND Flash閃存生產設備，三星目前計劃到年底前將該產線NAND Flash閃存的生產能力提升至每月1萬片晶片。不過，由於市場的不確定性，到2025年中才有可能為V9 QLC NAND先進產品的進一步投資規劃。
而在DRAM生產部分，平澤園區P4產線第一期未來有望具備3-4萬片晶片的月產能，製程方面則是導入三星目前最為先進的10納米級1a、1b製程技術，以應對競爭對手的產能擴張，並在三星內部其他DRAM產線技術升級之際，持續保持對市場的充足供應。
根據規劃，三星的平澤園區P4產線總共包含四期構建計劃，其中三期DRAM產線即將開建，至於第二期晶片代工產線則是在先前的決定中進一步暫緩投資。
(首圖來源：SAMSUNG)
