為了推動AI等創新應用落地，使其惠及更廣大的用戶，需要指數級增長的算力。為此，半導體行業正在不斷拓展晶片製造的邊界，探索提高性能、降低功耗的創新路徑。
在這樣的背景下，傳統上僅用於散熱和保護設備的封裝技術正在從幕後走向台前，成為行業熱門趨勢。與傳統的封裝技術不同，先進封裝技術可以在單個設備內集成不同廠商、不同製程、不同大小、不同功能的晶片，從而為打造功能更強大、能效比更高的系統級晶片（SoC），帶來了全新的可能性。
英特爾一直致力於將處理器、加速器和存儲器等各種各樣的晶片堆疊起來，組合到更大規模的封裝中，幫助客戶讓產品性能「更上一層樓」。在2025 IEEE電子器件技術大會（ECTC）上，英特爾分享了其封裝技術的最新進展，這一大會由IEEE（電氣電子工程師學會）電子封裝協會主辦，聚焦於封裝、器件和微電子系統的科研、技術與教育，是封裝領域的國際頂會。
具體而言，英特爾在封裝領域的三大關鍵技術路徑包括：提高封裝的良率，確保供電穩定可靠，以及通過有效的熱管理技術實現散熱。
EMIB-T：穩定供電
英特爾的EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）技術已經投入生產，突破了光罩尺寸的限制，實現了多晶片之間的高速互聯。此外，通過矽通孔（TSV）技術，EMIB-T 優化了供電效率，並為集成高速HBM4，以及基於UCIe標準的芯粒提供了簡便的解決方案。
熱壓鍵合：提高良率
隨著封裝尺寸越來越大，集成多晶片的複雜程度也在同步提升。英特爾計劃通過探索高精度、大光罩熱壓鍵合（TCB）的先進工藝來提高良率和可靠性。
分解式散熱器：高效散熱
隨著封裝變得越來越複雜，尺寸也越來愈大，熱設計功耗（TDP）也在不斷增加。為應對散熱層面的挑戰，英特爾正在研發全新的分解式散熱器技術，以及新一代熱界面材料。這些創新可以更有效地將熱量從熱源傳遞到散熱器的各個部分，進而提升整體的散熱效率。
