上個月有報道稱，英偉達的開發重點逐漸轉向下一代Rubin Ultra。與Rubin採用2-Die架構不同，英偉達打算在Rubin Ultra上採用4-Die架構，單個封裝內的HBM模組也將從8個增至16個。台積電原計劃在Rubin Ultra使用CoWoS-L封裝，不過遇到了變形問題，將影響良品率，推高製造成本，可能需要替代方案。外界分析，英偉達可能放棄4-Die架構，趨向2-Die架構，優先考慮製造效率和量產可行性。
據Wccftech報道，英特爾正在積極地向英偉達推銷支持HBM4/4E等新技術的EMIB-T封裝，以替代台積電的CoWoS-L封裝，用在Rubin Ultra上。如果英偉達選擇EMIB-T封裝，對於英特爾代工服務來說，將是一次重大的勝利。
EMIB-T利用矽通孔（TSV） 從晶片封裝底部通過TSV橋接晶片進行供電，從而實現了直接、低電阻的供電路徑，這對於HBM4/4E集成至關重要。與此同時，TSV還提升了晶片間的通信頻寬，使用UCIe-A互連技術，將數據傳輸速率提升至32 Gb/s或更高。
EMIB-T還能實現更大的晶片封裝尺寸，達到120 x 180 mm，並在單個大型晶片封裝中支持超過38個橋接器和超過12個矩形大小的裸片。EMIB-T可支持35微米的凸塊間距，25微米間距也在開發之中，遠勝於初代EMIB的55微米和第二代EMIB的45微米。此外，EMIB-T還兼容有機或玻璃基板，其中玻璃基板是英特爾未來晶片封裝業務的關鍵戰略方向。
相比於台積電的CoWoS-L，英特爾的EMIB-T主要優勢在於使用基板而非矽中介層將晶片與電路板連接，不會受到大面積矽中介層的限制，意味著能夠製造更大的晶片，而且成本也更低，適合不同製程的晶片進行異構集成。
