英特爾晶片代工完成先進半導體製造邁出重大里程碑，其位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地，英特爾研發人員已完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。
英特爾表示，此套由微影技術大廠艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備，將開始進行多項校準步驟，預計於2027年激活、率先用於Intel 14A製程，協助英特爾推進未來製程藍圖。此設備將投複印刷成像到晶片的光學設計進行改造，明顯提升下時代處理器的圖像解析度和尺寸縮放。
英特爾指出，High NA EUV微影設備在先進晶片開發和下時代處理器生產中扮演關鍵角色。英特爾晶片代工領先業界布局的High NA EUV微影設備，將為晶片製造帶來前所未有的精準度和可擴展性，協助英特爾開發創新功能完善的晶片，加速推動AI和其他新興技術的發展。
而ASML日前也宣布，位於荷蘭費爾德霍芬總部的高數值孔徑實驗室首次列印出10納米的高密度線路，創下EUV微影設備解析度的世界記錄，成為EUV微影設備迄今為止列印出最精細的線路。這項突破也讓ASML的合作夥伴蔡司（ZEISS）在High NA EUV微影設備上的創新光學設計獲得驗證。
英特爾強調，在研發人員初步校準該設備機台的光學組件、傳感器和平台後，High NA EUV已列印出突破性的圖像，為完整運行奠定基石。ASML通過全領域光學微影系統列印出的10納米高密度線路，為布局商用High NA EUV機台邁出關鍵下一步。另外，當High NA EUV微影設備與英特爾晶片代工服務的其他領先製程技術相結合時，列印尺寸預計將比現有EUV機台縮小1.7倍。也由於2D尺寸縮小，密度將提高2.9倍。英特爾將持續引領半導體產業發展更小、更密集的圖案化（pattterning）技術，進一步延伸摩爾定律。
事實上，相較於0.33數值孔徑的EUV微影設備，高數值孔徑EUV微影設備（或0.55數值孔徑的EUV微影設備） 可為類似的晶片尺寸提供更高的成像對比度，可減少每次曝光所需的進光量，並縮短每層列印時間，進而提高晶片廠的產能。
英特爾進一步強調，TWINSCAN EXE:5000系統的總重量超過150噸，將先分裝於250多個貨箱中，並集中裝入43個集裝箱，集裝箱由多架貨機運送至西雅圖，再利用20輛卡車運輸到俄勒岡州。之後，英特爾計劃於2025年Intel 18A的產品驗證以及未來Intel 14A的量產階段，採用0.33和0.55數值孔徑的EUV微影設備，並結合其他先進的微影製程技術，共同推進先進晶片的開發和製造，藉此改善英特爾的先進制程技術成本與性能。
(首圖來源：英特爾提供)
