處理器大廠英特爾 (Intel) 介紹PowerVia背後供電技術，並指出Intel 20A是首個採用PowerVia背後供電技術及RibbonFET全環繞柵極電晶體的製程，2024上半年生產準備就緒，提供量產消費性ARL處理器平台，目前在晶片廠啟動First Stepping早期階段。
英特爾Intel 18A正在進行內外測試，有望2024下半年完成生產準備就緒。Arm已和英特爾代工服務 (IFS) 簽署多時代先進系統晶片設計協議，使晶片設計公司使用Intel 18A級點製程開發低功耗計算系統級晶片（SoC）。不久前英特爾宣布，采Intel 18A製程為瑞典電信設備商愛立信打造定製化5G系統級晶片。
英特爾開發PowerVia背面供電背景，不得不從晶片發展談起。晶片像披薩由下而上層層製造，從最小組件電晶體開始，逐步創建越來越小線路層，連接電晶體和晶片各部分，線路稱為互聯接，包括供電晶片的電源線。晶片完成後反轉封裝，封裝提供外部接口，成為商用化系統級晶片。
然而這方法遇到各種問題。電晶體越來越小，密度越來越高，連接和電源線共存線路層變成越來越混亂的網路，形成提升晶片整體性能的障礙。曾參與開發PowerVia的英特爾技術開發副總裁Ben Sell表示，這問題之前不受重視，但現在產生巨大影響，因晶片功率和信號會衰減，需想辦法解決。
英特爾和其他晶片製造商都在努力研究背面供電技術，尋找將電源線遷到晶片背面的方法，使晶片正面專注電晶體與組件互聯。今年VLSI研討會英特爾展示製造和測試背面供電解決方案PowerVia過程，公布有良好性能的測試結果。
Ben Sell指出，告別披薩式製造，晶片第一次變成上下兩面。上面與以往一樣，下面是PowerVia背後技術應用空間。首先上面製造電晶體，然後添加互聯層。接下來就有趣了，反轉晶片並打磨，露出連接電源線的底層，打磨後讓原本厚度以微米計算的晶片底層，留下直接路徑給PowerVia背後供電使用。
Ben Sell證實好處很多，超過新製程技術更高複雜性的不利影響，如電源線可能占據晶片上面空間20%，電源線消失後互聯層可寬鬆些。為了證明可行，英特爾團隊製作Blue Sky Creek測試晶片，使用英特爾即將推出的PC處理器Meteor Lake P-Core性能核心，證明PowerVia解決披薩式舊方法的問題，就是電源線和互聯接分離，線徑更大，以同時改善供電和信號傳輸。
對一般用戶來說，使電腦降低能效和提高速度，更快完成工作，延續摩爾定律發展。Ben Sell說使用PowerVia性能核心達6%頻率提升和超過90%標準單元利用率，對只是遷移電源線來說是龐大的頻率提升。
測試晶片是採用第一層和最底層電晶體。之後許多電晶體夾在晶片中間，還有許多新技術都必須重新開發。為了開發PowerVia背後供電，英特爾采前一代Intel 4製程，應用充分驗證電晶體，並以Intel 20A規劃的電源和設計，準備Intel 20A量產時使用。
(首圖來源：英特爾)
