根據Citrini Research的最新數據分析，中國本土內存製造商長鑫儲存正迅速崛起為全球DRAM市場的有力競爭者。若當前擴產項目如期完成，到2026年底，其DRAM晶圓月產能預計將達到約35萬片。作為對比，全球三大DRAM廠商之一的美光科技在同期完成預期擴產後，月產量預計約為37.5萬片。對於一家為滿足國內需求而快速成長的新興企業而言，如此規模實屬罕見。
儘管受美國制裁影響無法獲取先進的EUV光刻設備，長鑫儲存通過深紫外（DUV）光刻技術與多重曝光工藝成功實現技術突圍。目前，長鑫已開始出貨基於G4節點的16Gb DDR5晶片，運行速率達8000 MT/s，晶片面積較上一代縮減20%，同時24Gb模組和LPDDR5X等高端產品也已進入量產，大部分產能主要由AI領域的高漲需求驅動。此外，中國政府正積極鼓勵長鑫將其DRAM技術智慧財產權向國內其他廠商授權轉移，旨在緩解國內市場供應緊張局面，並為未來進入歐美全球市場鋪路。
從被技術封鎖到12個月極速建廠，再到產能直逼國際巨頭，長鑫儲存的突圍之路無疑是中國半導體產業奮力追趕的縮影。面對這種「換道超車」的國產替代浪潮，你認為中國儲存晶片在未來幾年能否徹底打破海外巨頭的壟斷格局?歡迎在留言區留下你的犀利觀點！
