宅中地 - 每日更新
宅中地 - 每日更新

贊助商廣告

X

三星正在重新規劃HBM產能:或將部分HBM3E轉換為普通DRAM滿足市場需求

2025年12月04日 首頁 » 熱門科技

最近DRAM供應短缺引起了多個行業的關注,對於普通消費者而言,受到的影響可能是最大的。過去幾周里,內存價格飆升到幾乎「負擔不起」的程度,而且這種情況不僅僅限於2025年末這段時間,大概率會貫穿整個2026年,可能要到2027年下半年才有所緩解。原因除了製造商控制產量外,還將重心放在了高利潤的HBM產品上,普通DRAM顯然處於次要的位置。

三星正在重新規劃HBM產能:或將部分HBM3E轉換為普通DRAM滿足市場需求

據TECHPOWERUP報道,三星的HBM產品線正在從HBM3和HBM3E過渡到HBM4,這不僅僅是升級,而且是一次產能重新分配的過程。三星內部討論的重點是,將目前約30%到40%的1αnm(第四代10nm級別)DRAM工藝轉換為用於通用DRAM的1bnm(第五代10nm級別)DRAM工藝生產線,包括了DDR5、LPDDR5X、LPDDR6和GDDR7內存產品。

三星和SK海力士類似,之前為了更高的利潤率,將注意力放在HBM產品,不過現在三星內部評估顯示,12層堆疊HBM3E晶片的營業利潤約為30%,而通用DRAM的最近預期已超過60%。除了利潤的差異外,最大客戶對12層堆疊HBM3E晶片增量需求有限,以及平均售價大幅下滑的預期,都削弱了三星擴大HBM3E產能的動力。

隨著DRAM需求創歷史新高,對於三星來說只是多賺和少賺的區別,所有的產能都會被吸收。超大規模數據中心除了需要HBM外,像DDR5這樣的標準DRAM也有很高的需求。由於轉換產能和製造需要幾個月的時間,供應鏈暫時不會有那麼快的變化。

宅中地 - Facebook 分享 宅中地 - Twitter 分享 宅中地 - Whatsapp 分享 宅中地 - Line 分享
相關內容
Copyright ©2025 | 服務條款 | DMCA | 聯絡我們
宅中地 - 每日更新