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領先三星,SK海力士開發首款第六代10納米DRAM晶片

2024年08月30日 首頁 » 熱門科技

領先三星,SK海力士開發首款第六代10納米DRAM晶片


SK海力士周四(29日)表示,該公司已開發出第六代10納米 (1c) 16Gb DDR5 DRAM。根據韓媒The Elec報道,該公司成為第一家做到這點的內存製造商,領先國內競爭對手三星。

報道稱,三星和SK海力士競爭進度不相上下,三星今年5月成為第一家開始製造第5代10納米 (1b) DDR5 DRAM廠商,比SK海力士早十天。

SK海力士表示,將於明年開始供應最新DRAM。該內存晶片是通過擴展先前的1b平台而開發的1c。

SK海力士指出,它為某些極紫外線(EUV)製程開發新材料,並將生產力比前一代提高30%。1c DDR5速度為8Gbps,比1b快11%,電源效率也提升9%。

(首圖來源:網路)

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