在2021年7月的「英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發布會」上，英特爾首席執行官Pat Gelsinger發表了演講，展示了一系列底層技術創新，驅動英特爾到2025年乃至更遠未來的新產品開發。近兩年英特爾經常提及的便是「四年五個製程節點」的計劃，現在稱為「5N4Y」，公布的最後一個製程節點是Intel 18A，預計2025年初投產。
英特爾計劃在2024年2月21日舉辦IFS Direct Connect活動，屆時英特爾代工服務（IFS）將公布新的工藝路線圖，分享Intel 18A工藝之後的計劃。在這次活動上，特邀嘉賓包括有英特爾首席執行官Pat Gelsinger、英特爾代工服務的總經理Stuart Pann、英特爾運營總經理Keyvan Esfarjani、以及英特爾技術開發總經理Ann Kelleher博士。
如果對Intel 18A工藝之後的技術感興趣，那麼就要留意Ann Kelleher博士的演講了。暫時還不清楚英特爾之後的半導體計劃，不過應該會在現有技術基礎上繼續創新和發展。英特爾在Intel 18/20A工藝引入了RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術，被視為2025年趕超台積電的關鍵。
RibbonFET是對Gate All Around電晶體的實現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
