英特爾宣布，已開始採用極紫外光刻（EUV）技術大規模量產（HVM）Intel 4製程節點。英特爾稱，Intel 4工藝將應用於新一代產品，滿足AI推動下「芯經濟」指數級增長的算力需求，這次的按時量產證明了其正以強大執行力推進「四年五個製程節點」計劃。
英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）表示：「我為英特爾團隊以及客戶、供應商和合作夥伴感到驕傲，我們一起將Intel 4製程節點的大規模量產變為現實，在重獲製程領先性的道路上穩步前進。」
在英特爾的「四年五個製程節點」的半導體工藝路線圖裡，Intel 7和Intel 4已實現大規模量產；Intel 3正在按計劃推進，目標是2023年底；Intel 20A和Intel 18A進展順利，目標是2024年，將採用RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術。此外，英特爾不久後將推出面向英特爾代工服務（IFS）客戶的Intel 18A製程設計套件（PDK）。
作為英特爾首個採用極紫外光刻技術生產的製程節點，Intel 4可使用超短波長的光，改善良品率和面積微縮，從而實現高能效，還能應用EMIB和Foveros封裝技術，相比之前的工藝，無論在性能、能效還是電晶體密度方面均實現了顯著提升。
根據英特爾之前的介紹，與Intel 7相比，Intel 4實現了兩倍的面積微縮，帶來了高性能邏輯庫，並引入了多個創新，包括引入EUV光刻技術，大幅簡化了互連架構的製程工藝，同時還支持微縮，使得Intel 4中的掩碼減少了20%，工藝步驟減少了5%；針對高性能計算應用進行了優化，可支持低電壓（＜0.65V）和高電壓（高於1.1V）運行，相比Intel 7，Intel 4的ios功率性能提高了20%以上；另外高密度（金屬-絕緣體-金屬）電容器實現了卓越的供電性能。
