ISSCC 2023於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行，業界巨頭AMD也出現在了這次會議中，其主題演講中詳細介紹了如何提高數據中心的能效並設法跟上摩爾定律的，即使半導體工藝節點前進的腳步已經變得緩慢。
據Planet3DNow.de報道，AMD對伺服器處理器和HPC加速器最引人注目的預測是多層堆疊式DRAM。
過去一段時間以來，AMD已經開始製造帶有堆疊HBM的邏輯產品，比如GPU。這些都屬於多晶片模塊（MCM），其中邏輯晶片和HBM堆棧位於矽中介層之上。雖然與獨立的DRAM晶片/模塊相比，這種方法節省了PCB的空間，但在基板上的效率很低，而且中介層本質上是一個矽片，在上面堆疊的晶片之間有微小的布線。
AMD設想不久的將來，高密度伺服器處理器將在邏輯晶片之上堆疊多層DRAM。這種堆疊方法節省了PCB和基板的空間，允許晶片設計師在每個插座上塞進更多的核心和DRAM。
AMD還看到了內存計算的更大作用，簡單的計算和數據移動功能可以直接在內存中執行，省去了與處理器之間的往返。AMD還談到了封裝光學PHY的可能性，這將簡化網路基礎設施。
AMD在2021年就表示，未來屬於模塊化設計和匹配協調的封裝。隨著矽通孔（TSV）的增加，未來AMD會專注於更複雜的3D堆疊技術，比如核心堆疊核心，IP堆疊IP，甚至宏塊可以3D堆疊。最終矽通孔的間距會變得非常緊密，以至於模塊拆分、摺疊甚至電路拆分都將成為可能，這會徹底改變今天對處理器的認知。
